4GB Samsung DDR4 2133 DIMM M378A5143DB0-CPB Non-ECC, CL15, 1.2V, Bulk 4GB Samsung DDR4 2133 DIMM M378A5143DB0-CPB Non-ECC, CL15, 1.2V, Bulk
4GB Samsung DDR4 2133 DIMM M378A5143DB0-CPB Non-ECC, CL15, 1.2V, Bulk
id: 131058 Артикул: M378A5143DB0-CPB
3 327 руб.
Купить
Описание и характеристики
Отзывы
4gb samsung ddr4 2133 dimm m378a5143db0-cpb non-ecc, cl15, 1.2v, bulk
id: 131058 | Артикул: M378A5143DB0-CPB | Нет в наличии
Оценка:
Краткое описание
производителя
Гарантия
2133 МГц
Частота
DDR4
Тип
4 ГБ
Установленный объем
нет
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
Нет
Низкопрофильная
2133 МГц
Тактовая частота памяти
DDR4
Тип памяти
4 ГБ
Объем
1.2 В
Напряжение питания
Все характеристики
3 327 руб.
+3 бонусов
за покупку
Все товары SAMSUNG
Подбор аналогов
Удобные способы оплаты
Доставка на следующий день или самовывоз
3 327 x 1 = 3 327
Нет в наличии

Характеристики

Оперативная память

2133 МГц
Частота
DDR4
Тип
4 ГБ
Установленный объем
нет
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
Нет
Низкопрофильная
2133 МГц
Тактовая частота памяти
DDR4
Тип памяти
4 ГБ
Объем

Энергопитание

1.2 В
Напряжение питания

Основные характеристики

DIMM
Форм-фактор
4 ГБ
Объем одного модуля
17000 Мб/с
Пропускная способность
8 шт
Количество чипов на модуле
1 шт
Количество модулей в комплекте
Односторонняя
Компоновка чипов на модуле
Bulk
Вид поставки
Samsung
Производитель
1 модуль 4Gb
Объем

Дополнительные характеристики

133,3 мм
Ширина
30 мм
Высота
288-pin
Количество контактов
Нет
Радиатор
95 °C
Нормальная операционная температура (Tcase)
150 г
Вес (брутто)
нет
Низкопрофильная

Тайминги

15
Row Precharge Delay (tRP)
15
CAS Latency (CL)
15
RAS to CAS Delay (tRCD)
36
Activate to Precharge Delay (tRAS)

Дополнительная информация

нет
Low Profile

Устройства хранения данных

DDR4
Тип памяти

Описание

Отзывы

Оставить свой отзыв
Оцените товар:
Оставить свой отзыв

Запрос оферт на Портале поставщиков

Отправить

Запрос аналога

Отправить